সিলিকন কার্বাইড ঘষিয়া তুলিয়া ফেলিতে সক্ষম

স্পেসিফিকেশন

কম প্রাকৃতিক উপাদানের কারণে, সিলিকন কার্বাইড মূলত মানবসৃষ্ট। একটি সাধারণ পদ্ধতি হল কোকের সাথে কোয়ার্টজ বালি মেশানো, সিলিকা এবং পেট্রোলিয়াম কোক ব্যবহার করা, লবণ এবং কাঠের চিপ যোগ করা, একটি বৈদ্যুতিক চুল্লিতে স্থাপন করা, এটিকে প্রায় 2000 ডিগ্রি উচ্চ তাপমাত্রায় গরম করা এবং বিভিন্ন রাসায়নিকের পরে সিলিকন কার্বাইড পাউডার প্রাপ্ত করা। প্রসেস

সিলিকন কার্বাইড ঘষিয়া তুলিয়া ফেলিতে সক্ষম (SiC) এর মহান কঠোরতার কারণে একটি গুরুত্বপূর্ণ ঘষিয়া তুলিয়া ফেলিতে সক্ষম হয়ে উঠেছে, কিন্তু এর প্রয়োগ পরিসীমা সাধারণ ঘষিয়া তুলিয়া ফেলিতে সক্ষম। উদাহরণস্বরূপ, এর উচ্চ তাপমাত্রা প্রতিরোধ এবং তাপ পরিবাহিতা এটিকে সুড়ঙ্গ ভাটা বা শাটল ভাটির জন্য প্রথম পছন্দের ভাটা আসবাবপত্রের একটি করে তোলে। এর বৈদ্যুতিক পরিবাহিতা এটিকে একটি গুরুত্বপূর্ণ বৈদ্যুতিক গরম করার উপাদান করে তোলে।

SiC পণ্য প্রস্তুত করতে, আপনাকে প্রথমে SiC গলানোর ব্লকগুলি [বা: SiC গ্রানুলস প্রস্তুত করতে হবে। যেহেতু তারা C ধারণ করে এবং সুপার হার্ড, তাই SiC গ্রানুলকে একবার বলা হত: এমেরি। তবে সতর্কতা অবলম্বন করুন: এটির প্রাকৃতিক এমরি (গারনেট) এর চেয়ে আলাদা রচনা রয়েছে। শিল্প উত্পাদনে, SiC গলানোর ব্লকগুলি সাধারণত কোয়ার্টজ, পেট্রোলিয়াম কোক ইত্যাদি কাঁচামাল, সহায়ক পুনর্ব্যবহৃত উপকরণ এবং বর্জ্য পদার্থ হিসাবে ব্যবহার করে এবং যুক্তিসঙ্গত অনুপাত এবং উপযুক্ত কণার আকারের সাথে চুল্লি উপকরণগুলিতে গ্রাইন্ডিং এবং অন্যান্য প্রক্রিয়ার মাধ্যমে প্রস্তুত করা হয় (যা সামঞ্জস্য করার জন্য) চুল্লি উপকরণের ব্যাপ্তিযোগ্যতা, একটি উপযুক্ত পরিমাণ যোগ করতে হবে (সবুজ সিলিকন কার্বাইড তৈরি করার সময় করাত থেকে, একটি উপযুক্ত পরিমাণ লবণও যোগ করা হয়) এবং উচ্চ তাপমাত্রায় প্রস্তুত করা হয়। উচ্চ তাপমাত্রায় SiC গলিত ব্লক প্রস্তুত করার জন্য তাপীয় সরঞ্জাম তাপমাত্রা একটি বিশেষ সিলিকন কার্বাইড বৈদ্যুতিক চুল্লি।

এর কাঠামোর মধ্যে রয়েছে একটি চুল্লির নীচে, ভিতরের দিকে ইলেক্ট্রোড সহ একটি শেষ প্রাচীর, একটি অপসারণযোগ্য পাশের প্রাচীর এবং একটি চুল্লির কোর বডি (পুরো নাম: বৈদ্যুতিক চুল্লির কেন্দ্রে শক্তিযুক্ত গরম করার উপাদান, সাধারণত গ্রাফাইট পাউডার বা পেট্রোলিয়াম কোক হয়। চার্জের কেন্দ্রে একটি নির্দিষ্ট আকৃতি এবং আকার অনুযায়ী ইনস্টল করা হয়, সাধারণত বৃত্তাকার বা আয়তক্ষেত্রাকার। এর দুই প্রান্ত ইলেক্ট্রোডের সাথে সংযুক্ত থাকে) এবং অন্যান্য উপাদান। এই বৈদ্যুতিক চুল্লিতে ব্যবহৃত ফায়ারিং পদ্ধতিটি সাধারণতঃ সমাহিত পাউডার ফায়ারিং নামে পরিচিত। এটি চালিত হওয়ার সাথে সাথে হিটিং শুরু হয়। ফার্নেস কোরের তাপমাত্রা প্রায় 2500 ডিগ্রি বা তারও বেশি (2600 ~ 2700 ডিগ্রি)। যখন চার্জ 1450 ডিগ্রিতে পৌঁছায় তখন SiC সংশ্লেষিত হতে শুরু করে (কিন্তু SiC প্রধানত 1800 ডিগ্রির চেয়ে বড় বা সমানে গঠিত হয়), এবং CO নির্গত হয়।

যাইহোক, SiC 2600 ডিগ্রির বেশি বা সমানে পচে যাবে, কিন্তু পচে যাওয়া Si চার্জে C এর সাথে বিক্রিয়া করে SiC গঠন করবে। বৈদ্যুতিক চুল্লিগুলির প্রতিটি গ্রুপ ট্রান্সফরমারের একটি সেট দিয়ে সজ্জিত, কিন্তু শুধুমাত্র একটি একক বৈদ্যুতিক চুল্লি উত্পাদনের সময় চালিত হয় যাতে মূলত ধ্রুবক শক্তি বজায় রাখার জন্য বৈদ্যুতিক লোডের বৈশিষ্ট্য অনুসারে ভোল্টেজ সামঞ্জস্য করা যায়। উচ্চ ক্ষমতার বৈদ্যুতিক চুল্লিকে প্রায় 24 ঘন্টা গরম করতে হবে। বিদ্যুৎ বিভ্রাটের পরে, SiC তৈরির প্রতিক্রিয়া মূলত সম্পন্ন হয়। শীতল হওয়ার পরে, পাশের দেয়ালগুলি সরানো যেতে পারে এবং তারপরে ধীরে ধীরে চার্জটি সরিয়ে নেওয়া হয়।

FAQ