শক্তিশালী উচ্চ ভোল্টেজ ডিভাইস সিলিকন কার্বাইড

স্পেসিফিকেশন

শক্তিশালী উচ্চ ভোল্টেজ ডিভাইস সিলিকন কার্বাইড। SiC ডিভাইসগুলির দৃঢ়তা উচ্চ-তাপমাত্রার অবস্থার অধীনে কাজ করার ক্ষমতাকেও প্রসারিত করে। SiC-এর তাপ পরিবাহিতা দক্ষ তাপ অপচয়কে সক্ষম করে, অতিরিক্ত তাপমাত্রা বৃদ্ধি রোধ করে এবং ডিভাইসের নির্ভরযোগ্যতা বাড়ায়। এই বৈশিষ্ট্যটি বৈদ্যুতিক যান, পুনর্নবীকরণযোগ্য শক্তি সিস্টেম এবং মহাকাশ সহ উচ্চ-শক্তি এবং উচ্চ-তাপমাত্রার অ্যাপ্লিকেশনের জন্য SiC-ভিত্তিক ডিভাইসগুলিকে আদর্শ করে তোলে।

এছাড়াও, SiC ডিভাইসগুলি দ্রুত স্যুইচিং গতি এবং কম অন-প্রতিরোধ প্রদর্শন করে, যার ফলে বিদ্যুতের ক্ষতি হ্রাস পায় এবং দক্ষতা উন্নত হয়। উচ্চ ভোল্টেজ ক্ষমতা, উচ্চ-তাপমাত্রার স্থিতিশীলতা, এবং উচ্চতর বৈদ্যুতিক কর্মক্ষমতা অবস্থানের সংমিশ্রণ পরবর্তী প্রজন্মের পাওয়ার ইলেকট্রনিক্সের জন্য একটি মূল প্রযুক্তি হিসাবে SiC।

►ঝেনান ফেরোলয়Anyang সিটি, হেনান প্রদেশ, China এ অবস্থিত. এটি উৎপাদন অভিজ্ঞতার 20 বছরের আছে. উচ্চ-মানের ferrosilicon ব্যবহারকারীর প্রয়োজনীয়তা অনুযায়ী উত্পাদিত হতে পারে.

►ঝেনান ফেরোলয়তাদের নিজস্ব ধাতুবিদ্যা বিশেষজ্ঞ আছে, ফেরোসিলিকন রাসায়নিক রচনা, কণা আকার এবং প্যাকেজিং গ্রাহকের প্রয়োজনীয়তা অনুযায়ী কাস্টমাইজ করা যেতে পারে।

► ফেরোসিলিকনের ক্ষমতা হল60000 প্রতি বছর টন, স্থিতিশীল সরবরাহ এবং সময়মত ডেলিভারি।

► কঠোরভাবে মান নিয়ন্ত্রণ, তৃতীয় পক্ষের পরিদর্শন গ্রহণ করুনএসজিএস, বিভি, ইত্যাদি

► স্বাধীন আমদানি ও রপ্তানি যোগ্যতা থাকা।

আমরা প্রত্যাশা ছাড়িয়ে যাওয়ার চেষ্টা করি এবং নিশ্চিত করি যে আমাদের ডিলার এবং শেষ-ব্যবহারকারীরা প্রতিযোগিতামূলক থাকে।

আমরা কখনই আমাদের পণ্যের গুণমান এবং পরিষেবার উন্নতি বন্ধ করব না।

এফএকিউ