সিলিকন কার্বাইড SiC 1-5মিমি

সিলিকন কার্বাইড (SiC) একটি সিন্থেটিক যৌগ যা সিলিকন এবং কার্বন দ্বারা গঠিত। এটি চমৎকার তাপ পরিবাহিতা, উচ্চ গলনাঙ্ক এবং উচ্চ বৈদ্যুতিক পরিবাহিতা সহ একটি অত্যন্ত টেকসই এবং শক্ত উপাদান। উচ্চ তাপমাত্রা এবং চাপের সংমিশ্রণের মাধ্যমে SiC উত্পাদিত হয়। SiC উৎপাদনের জন্য সবচেয়ে সাধারণ পদ্ধতি হল Acheson প্রক্রিয়া, যা নিম্নলিখিত পদক্ষেপগুলিকে অন্তর্ভুক্ত করে:

কাঁচামাল তৈরি: SiC উৎপাদনের কাঁচামাল হল সিলিকা বালি এবং পেট্রোলিয়াম কোক। এই উপকরণগুলি সাবধানে নির্বাচিত এবং পছন্দসই অনুপাতে মিশ্রিত করা হয়। চূড়ান্ত পণ্যের ছিদ্র উন্নত করতে অন্যান্য উপকরণ যেমন করাত বা লবণ যোগ করা যেতে পারে।

ফার্নেস চার্জিং: কার্বন ইট দিয়ে রেখাযুক্ত বৈদ্যুতিক প্রতিরোধের চুল্লিতে কাঁচামাল চার্জ করা হয়। চুল্লিটি প্রায় 2200 ডিগ্রি তাপমাত্রায় উত্তপ্ত হয়, যার ফলে কোকের কার্বন সিলিকার সাথে বিক্রিয়া করে SiC গঠন করে।

SiC গঠন: চুল্লির তাপমাত্রা বাড়ার সাথে সাথে কার্বন এবং সিলিকার মধ্যে বিক্রিয়া আরও জোরালো হয়ে ওঠে এবং SiC স্ফটিক তৈরি হতে শুরু করে। প্রতিক্রিয়া এগিয়ে যাওয়ার সাথে সাথে SiC স্ফটিকগুলি বৃদ্ধি পায় এবং অবশেষে, একটি কঠিন SiC ভর তৈরি হয়।

চূর্ণ এবং চালনি: কঠিন SiC ভর চূর্ণ এবং পছন্দসই আকার sieved করা হয়. উদ্দেশ্য প্রয়োগের উপর নির্ভর করে SiC দানার আকার পরিবর্তিত হতে পারে।

রাসায়নিক চিকিত্সা: SiC দানাগুলি তাদের গুণমানকে প্রভাবিত করতে পারে এমন কোনও অমেধ্য অপসারণের জন্য রাসায়নিক চিকিত্সার মধ্য দিয়ে যেতে পারে। চিকিত্সা অ্যাসিড, ক্ষার, বা অন্যান্য রাসায়নিক ব্যবহার জড়িত হতে পারে।

প্যাকেজিং এবং স্টোরেজ: চূড়ান্ত SiC পণ্যটি উপযুক্ত পাত্রে প্যাকেজ করা হয় এবং একটি শুষ্ক, ভাল বায়ুচলাচল এলাকায় সংরক্ষণ করা হয় যতক্ষণ না এটি চালানের জন্য প্রস্তুত হয়।