সিলিকন কার্বাইড উৎপাদন প্রযুক্তি
আকৃতি: পিণ্ড/পাউডার আকৃতি
অবাধ্য জন্য সিলিকন কার্বাইড পাউডার
বিবরণ
বর্ণনা
সিলিকন কার্বাইড, যা SiC নামেও পরিচিত, একটি উপাদান যা সাম্প্রতিক বছরগুলিতে তার অনন্য বৈশিষ্ট্যগুলির কারণে জনপ্রিয়তা অর্জন করেছে। এটি সিলিকন এবং কার্বন দ্বারা গঠিত একটি যৌগ এবং একটি স্ফটিক গঠন আছে। সেমিকন্ডাক্টর, স্বয়ংচালিত, মহাকাশ এবং শক্তি সহ বিভিন্ন শিল্পে SiC-এর ব্যবহার দ্রুত বৃদ্ধি পেয়েছে। এই পোস্টে, আমরা সিলিকন কার্বাইড তৈরি করতে ব্যবহৃত উৎপাদন প্রযুক্তি অন্বেষণ করব।
SiC-এর উৎপাদনকে দুটি প্রধান পদ্ধতিতে ভাগ করা যায়: Acheson প্রক্রিয়া এবং Lely প্রক্রিয়া। Acheson প্রক্রিয়া, যা 1891 সালে বিকশিত হয়েছিল, এটি প্রাচীনতম এবং সর্বাধিক ব্যবহৃত পদ্ধতি। এটি একটি বৈদ্যুতিক চুল্লিতে প্রায় 2,500 ডিগ্রির অত্যন্ত উচ্চ তাপমাত্রায় কার্বন এবং বালির মিশ্রণকে গরম করে। তাপের কারণে কার্বন সিলিকার সাথে বিক্রিয়া করে, SiC তৈরি করে। যাইহোক, এই প্রক্রিয়াটির বেশ কিছু ত্রুটি রয়েছে, যার মধ্যে রয়েছে উচ্চ শক্তি খরচ, কম বিশুদ্ধতা এবং প্রচুর পরিমাণে বর্জ্য পদার্থের উৎপাদন।
লেলি প্রক্রিয়া একটি আরও আধুনিক পদ্ধতি যা 1950 এর দশকে তৈরি হয়েছিল। এটি উচ্চ তাপমাত্রা এবং চাপে বিশুদ্ধ SiC পাউডারের সরাসরি পরমানন্দ জড়িত। এটি একটি ভ্যাকুয়াম ফার্নেসে করা হয়, যেখানে SiC পাউডার ধারণকারী একটি গ্রাফাইট ক্রুসিবলকে উত্তপ্ত করা হয় যতক্ষণ না এটি উত্তপ্ত হয়। বাষ্প তারপর একটি বীজ স্ফটিকের উপর জমা হয়, যা একটি বড় SiC স্ফটিকের মধ্যে বৃদ্ধি পায়। এই পদ্ধতিটি আরও শক্তি-দক্ষ, উচ্চতর বিশুদ্ধতা SiC উত্পাদন করে এবং Acheson প্রক্রিয়ার তুলনায় কম বর্জ্য তৈরি করে।
স্পেসিফিকেশন
| মডেল | উপাদান শতাংশ | |||
| 60# | SiC | F.C | Fe2O3 | |
| 65# | 60 মিনিট | 15-20 | 8-12 | 3.5 সর্বোচ্চ |
| 70# | 65 মিনিট | 15-20 | 8-12 | 3.5 সর্বোচ্চ |
| 75# | 70 মিনিট | 15-20 | 8-12 | 3.5 সর্বোচ্চ |
| 80# | 75 মিনিট | 15-20 | 8-12 | 3.5 সর্বোচ্চ |
| 85# | 80 মিনিট | 3-6 | 3.5 সর্বোচ্চ | |
| 90# | 85 মিনিট | 2.5 সর্বোচ্চ | 3.5 সর্বোচ্চ | |
| 95# | 90 মিনিট | ১।{1}}সর্বোচ্চ | 1.2 সর্বোচ্চ | |
| 97# | 95 মিনিট | 0.6 সর্বোচ্চ | 1.2 সর্বোচ্চ | |
SiC উৎপাদনের আরেকটি পদ্ধতি হ'ল পরিবর্তিত লেলি প্রক্রিয়া, যা অ্যাচেসন এবং লেলি উভয় প্রক্রিয়ার সুবিধাগুলিকে একত্রিত করে। এটি কার্বন এবং সিলিকা ধারণকারী একটি গ্রাফাইট ছাঁচ ব্যবহার জড়িত। ছাঁচটি উচ্চ তাপমাত্রায় উত্তপ্ত হয়, যার ফলে কার্বন সিলিকার সাথে বিক্রিয়া করে SiC গঠন করে। তারপরে SiC ধারণকারী ক্রুসিবলটিকে একটি ভ্যাকুয়াম ফার্নেসে স্থাপন করা হয় এবং SiC সাবলাইম না হওয়া পর্যন্ত উত্তপ্ত করা হয়, যা একটি বীজ স্ফটিকের উপর জমা হয়। এই প্রক্রিয়াটি আরও সাশ্রয়ী এবং লেলি প্রক্রিয়ার চেয়ে বড় SiC স্ফটিক তৈরি করে।
উপসংহারে, বিভিন্ন শিল্পে SiC একটি গুরুত্বপূর্ণ উপাদান, এবং এর উৎপাদন প্রক্রিয়া সময়ের সাথে সাথে বিকশিত হয়েছে। যদিও Acheson প্রক্রিয়াটি সবচেয়ে পুরানো এবং সর্বাধিক ব্যবহৃত পদ্ধতি, লেলি এবং পরিবর্তিত লেলি প্রক্রিয়াগুলি আরও দক্ষ, সাশ্রয়ী এবং পরিবেশগতভাবে বন্ধুত্বপূর্ণ বিকল্পগুলি অফার করে। প্রযুক্তির অগ্রগতির সাথে সাথে, আমরা SiC উত্পাদন প্রযুক্তিতে আরও উন্নতি দেখতে আশা করতে পারি, যা বিভিন্ন অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে এই উপাদানটির আরও ব্যাপক ব্যবহারের দিকে পরিচালিত করে।
এফএকিউ
প্রশ্ন: আপনার কি মান আছে?
উত্তর: আমাদের পণ্যগুলি মান পূরণ করে, যেমন ASTM, ASME, AMS, DIN, JIS ইত্যাদি। তৃতীয় পক্ষের পরীক্ষা আমাদের জন্য উপলব্ধ।
প্রশ্নঃ আপনার লিড টাইম কি?
উ: সাধারণত PO পাওয়ার পর প্রায় 15- 20 দিন লাগে।
প্রশ্ন: আপনি কি ট্রেডিং কোম্পানি বা প্রস্তুতকারক?
উত্তর: আমরা refrcatory এর প্রস্তুতকারক, আমরা আপনাকে আরও প্রতিযোগিতামূলক দামে উচ্চ মানের পণ্য সরবরাহ করতে পারি।
গরম ট্যাগ: সিলিকন কার্বাইড উত্পাদন প্রযুক্তি
অনুসন্ধান পাঠান
তুমি এটাও পছন্দ করতে পারো
