সেমিকন্ডাক্টরের জন্য সিলিকন কার্বাইড পাউডার

সেমিকন্ডাক্টরের জন্য সিলিকন কার্বাইড পাউডার

SiC পাউডার দ্বারা প্রদত্ত বৈশিষ্ট্যগুলির অনন্য সমন্বয় এটিকে উচ্চ-প্রযুক্তি অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে বিশেষ করে সেমিকন্ডাক্টর শিল্পে ব্যবহারের জন্য একটি আকর্ষণীয় উপাদান করে তোলে। এর ব্যতিক্রমী তাপীয়, যান্ত্রিক এবং বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্যগুলি উচ্চ-কর্মক্ষমতা সম্পন্ন ইলেকট্রনিক ডিভাইসগুলির উত্পাদন সক্ষম করে যা কঠোর পরিবেশে কাজ করতে পারে এবং দীর্ঘ জীবনকাল ধরে নির্ভরযোগ্য কর্মক্ষমতা প্রদান করতে পারে।

বিবরণ

বর্ণনা

সিলিকন কার্বাইড (SiC) পাউডার উচ্চ তাপ পরিবাহিতা, উচ্চ কঠোরতা, উচ্চ রাসায়নিক এবং তাপীয় স্থিতিশীলতা এবং চমৎকার বৈদ্যুতিক পরিবাহিতা সহ এর অনন্য বৈশিষ্ট্যগুলির কারণে সেমিকন্ডাক্টর উত্পাদনে ব্যবহারের জন্য একটি জনপ্রিয় উপাদান। SiC পাউডার সাধারণত উচ্চ-কার্যক্ষমতা সম্পন্ন ইলেকট্রনিক উপাদান যেমন পাওয়ার ডিভাইস, LEDs এবং সৌর কোষের উৎপাদনে ব্যবহৃত হয়।

 

স্পেসিফিকেশন

 

সম্পত্তি মান
বিশুদ্ধতা 99.9 শতাংশের চেয়ে বড় বা সমান
স্ফটিক গঠন ষড়ভুজ (6H-SiC) বা কিউবিক (3C-SiC)
কনার আকারের মতো ভাগ D50: 0.5-5 μm; D90: 5-10 μm; D100: 10-50 μm
নির্দিষ্ট সারফেস এরিয়া (m2/g) 5-20
ঘনত্ব (g/cm3) 3.20-3.22
রঙ সবুজ বা কালো
মোহস হার্ডনেস স্কেল 9.5
তাপ পরিবাহিতা (W/mK) 150-200
তাপ সম্প্রসারণের সহগ (10-6/কে) 4.0-4.5
বৈদ্যুতিক প্রতিরোধ ক্ষমতা (ওহম-সেমি) ঘরের তাপমাত্রায় 10^-2 - 10^4
ডাইইলেকট্রিক ধ্রুবক 9.7 - 11.5
ব্রেকডাউন ভোল্টেজ (কেভি/সেমি) 200-400

Silicon Carbide Powder for Semiconductor

Silicon Carbide Powder for Semiconductor

সেমিকন্ডাক্টর অ্যাপ্লিকেশনের জন্য SiC পাউডার সাধারণত সিল করা পাত্রে প্যাক করা হয় যাতে স্টোরেজ এবং পরিবহনের সময় পাউডারকে দূষণ এবং অবক্ষয় থেকে রক্ষা করা যায়। পরিচালনার সময় উৎপন্ন সূক্ষ্ম ধূলিকণা থেকে ত্বক এবং শ্বাসযন্ত্রের জ্বালা এড়াতে সতর্কতার সাথে SiC পাউডার পরিচালনা করাও গুরুত্বপূর্ণ।

বৈশিষ্ট্য

উচ্চ তাপ পরিবাহিতা

উচ্চ রাসায়নিক এবং তাপ স্থায়িত্ব

চমৎকার বৈদ্যুতিক পরিবাহিতা

উচ্চ কঠোরতা এবং পরিধান প্রতিরোধের

কম তাপীয় সম্প্রসারণ

গরম ট্যাগ: সেমিকন্ডাক্টরের জন্য সিলিকন কার্বাইড পাউডার

তুমি এটাও পছন্দ করতে পারো

কেনাকাটার থলে