কম শক্তি ক্ষতি সিলিকন কার্বাইড

স্পেসিফিকেশন

কম বিদ্যুতের ক্ষতি সিলিকন কার্বাইড। অতিরিক্তভাবে, সিলিকন ডিভাইসের তুলনায় SiC ডিভাইসে দ্রুত স্যুইচিং গতি থাকে। এই বৈশিষ্ট্যটি দ্রুত চালু এবং বন্ধ করার সময় সক্ষম করে, শক্তি রূপান্তর প্রক্রিয়ার সময় সুইচিং ক্ষতি হ্রাস করে। SiC ডিভাইসগুলির দ্রুত স্যুইচিং ক্ষমতা উচ্চতর অপারেটিং ফ্রিকোয়েন্সি এবং ছোট প্যাসিভ উপাদানগুলিকে সক্ষম করে, সামগ্রিক সিস্টেম ক্ষুদ্রকরণ এবং উন্নত দক্ষতায় অবদান রাখে।

অধিকন্তু, SiC-এর চমৎকার তাপ পরিবাহিতা দক্ষ তাপ অপচয়কে সহজতর করে, আরও বিদ্যুতের ক্ষতি কমিয়ে দেয়। SiC-ভিত্তিক পাওয়ার ডিভাইসগুলি অত্যধিক তাপমাত্রা বৃদ্ধি ছাড়াই উচ্চ শক্তির ঘনত্ব পরিচালনা করতে পারে, নির্ভরযোগ্য এবং দক্ষ অপারেশন নিশ্চিত করে।

►ঝেনান ফেরোলয়Anyang সিটি, হেনান প্রদেশ, China এ অবস্থিত. এটি উৎপাদন অভিজ্ঞতার 20 বছরের আছে. উচ্চ-মানের ferrosilicon ব্যবহারকারীর প্রয়োজনীয়তা অনুযায়ী উত্পাদিত হতে পারে.

►ঝেনান ফেরোলয়তাদের নিজস্ব ধাতুবিদ্যা বিশেষজ্ঞ আছে, ফেরোসিলিকন রাসায়নিক রচনা, কণা আকার এবং প্যাকেজিং গ্রাহকের প্রয়োজনীয়তা অনুযায়ী কাস্টমাইজ করা যেতে পারে।

► ফেরোসিলিকনের ক্ষমতা হল60000 প্রতি বছর টন, স্থিতিশীল সরবরাহ এবং সময়মত ডেলিভারি।

► কঠোরভাবে মান নিয়ন্ত্রণ, তৃতীয় পক্ষের পরিদর্শন গ্রহণ করুনএসজিএস, বিভি, ইত্যাদি

► স্বাধীন আমদানি ও রপ্তানি যোগ্যতা থাকা।

আমরা প্রত্যাশা ছাড়িয়ে যাওয়ার চেষ্টা করি এবং নিশ্চিত করি যে আমাদের ডিলার এবং শেষ-ব্যবহারকারীরা প্রতিযোগিতামূলক থাকে।

আমরা কখনই আমাদের পণ্যের গুণমান এবং পরিষেবার উন্নতি বন্ধ করব না।

এফএকিউ