FZ সিলিকন ওয়েফার সেমিকন্ডাক্টর
বর্ণনা FZ সিলিকন ওয়েফার হল এক ধরনের উচ্চ-বিশুদ্ধতার সিলিকন ওয়েফার যা সাধারণত সেমিকন্ডাক্টর শিল্পে ব্যবহৃত হয়। FZ হল ফ্লোট জোন, যা একক ক্রিস্টাল সিলিকন বৃদ্ধির একটি পদ্ধতি। FZ প্রক্রিয়া চলাকালীন, একটি উচ্চ-তাপমাত্রার চুল্লিতে একটি সিলিকন রড উল্লম্বভাবে সাসপেন্ড করা হয় এবং...
বিবরণ
বর্ণনা
FZ সিলিকন ওয়েফার হল এক ধরনের উচ্চ-বিশুদ্ধতার সিলিকন ওয়েফার যা সাধারণত সেমিকন্ডাক্টর শিল্পে ব্যবহৃত হয়। FZ হল ফ্লোট জোন, যা একক ক্রিস্টাল সিলিকন বৃদ্ধির একটি পদ্ধতি।
FZ প্রক্রিয়া চলাকালীন, একটি উচ্চ-তাপমাত্রার চুল্লিতে একটি সিলিকন রড উল্লম্বভাবে সাসপেন্ড করা হয় এবং রডের একটি ছোট অংশ গরম করে একটি গলিত অঞ্চল তৈরি করা হয়। গলিত অঞ্চলটি রডের দৈর্ঘ্য বরাবর সরানো হয় এবং এটি ঠান্ডা হওয়ার সাথে সাথে এটি একটি একক স্ফটিকের মতো শক্ত হয়ে যায়। রডের পুরো দৈর্ঘ্য একটি একক স্ফটিকে রূপান্তরিত না হওয়া পর্যন্ত প্রক্রিয়াটি একাধিকবার পুনরাবৃত্তি হয়।
এফজেড সিলিকন ওয়েফারের বিশুদ্ধতার উচ্চ স্তর রয়েছে, অশুদ্ধতার মাত্রা সাধারণত প্রতি বিলিয়নের এক অংশেরও কম। এই বিশুদ্ধতা উচ্চ-কার্যক্ষমতাসম্পন্ন ইলেকট্রনিক ডিভাইস, যেমন মাইক্রোপ্রসেসর, মেমরি চিপ এবং সৌর কোষে ব্যবহারের জন্য আদর্শ করে তোলে। এফজেড ওয়েফারগুলি বৈজ্ঞানিক গবেষণায় এবং উচ্চ-পারফরম্যান্স সেন্সর এবং ডিটেক্টরের উত্পাদনেও ব্যবহৃত হয়।
স্পেসিফিকেশন
| ব্যাস | 2" | 3" | 4" | 5" | 6" | 8" |
| বৃদ্ধির পদ্ধতি | FZ | |||||
| ওরিয়েন্টেশন | < 1-0-0 > , < 1-1-1 > | |||||
| টাইপ/ডোপান্ট | অভ্যন্তরীণ, এন টাইপ/ফস, পি টাইপ/বোরন | |||||
| বেধ (উম) | 279 | 380 | 525 | 625 | 675 | 725 |
| পুরুত্ব সহনশীলতা | স্ট্যান্ডার্ড ± 25um | ±50um | ||||
| প্রতিরোধ ক্ষমতা (ওহম-সেমি) | 1000-20000, Maximum Capabilities>20000, এবং 1-5 | |||||
| সারফেস সমাপ্ত | P/E , P/P, E/E, G/G | |||||
| TTV (um) | স্ট্যান্ডার্ড< 10 um | |||||
| নম/ওয়ার্প (উম) | স্ট্যান্ডার্ড<40 um | |||||

গরম ট্যাগ: fz সিলিকন ওয়েফার সেমিকন্ডাক্টর
অনুসন্ধান পাঠান
তুমি এটাও পছন্দ করতে পারো
